STW26NM50

STW26NM50是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的优异平衡。其核心架构优化了单元密度和电荷平衡，有效降低了开关过程中的能量损耗，同时确保了在高压工作条件下的高可靠性。这种设计理念使得该器件在需要高效能转换的功率系统中表现出色，成为工程师在构建高功率密度解决方案时的可靠选择。

该MOSFET具备多项关键电气特性，其500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等应用中的高压应力。在导通性能方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为120毫欧（@13A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值为106nC，结合优化的内部电容特性，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。对于需要长期稳定供货的客户，可以通过ST授权代理获取详细的产品生命周期支持信息。

在接口与参数层面，STW26NM50采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其结温（Tj）最高可承受150°C，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达30A，最大功耗为313W，展现了强大的功率处理能力。其栅源电压（Vgs）支持±30V的范围，为驱动设计提供了充足的裕量。这些参数共同定义了一个坚固且高性能的功率开关平台。

基于其高压、大电流和低损耗的特性，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有严苛要求的领域。典型应用场景包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、三相电机驱动和变频器、电焊机以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少热设计压力，并保障设备在恶劣环境下的稳定运行。

• 型号:STW26NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW26NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）与30A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，专为高功率应用设计。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合，典型导通电阻（Rds(on)）为120毫欧@10V，典型栅极电荷（Qg）为106nC，这有助于显著降低系统的传导与开关损耗。最大结温150°C和313W的功率耗散能力确保了其在严苛工况下的可靠性与稳定性。