STW26NM60

STW26NM60是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直导电结构，通过优化的单元设计和外延层工艺，在单晶硅上实现了低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心架构旨在最小化寄生电容，特别是栅漏电容（Crss），这对于提升开关速度、降低开关损耗至关重要，使其在高频开关应用中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作裕量，适用于市电整流后高压母线环境。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至135毫欧（@13A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极总电荷（Qg）最大值控制在102nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关性能。其封装采用坚固的TO-247-3通孔形式，具有良好的散热能力和机械强度，最大结温（Tj）可达150°C，在配备合适散热器的情况下，能够耗散高达313W（Tc）的功率。

在接口与参数方面，该器件为标准的三引脚（漏极、栅极、源极）配置。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力，而最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了较宽的驱动电压安全范围。连续漏极电流（Id）在壳温25°C时额定值为30A，能够承载较大的电流。这些参数共同定义了一个高效、可靠且易于驱动的功率开关解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整供应链服务的重要途径。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STW26NM60非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换器、UPS（不间断电源）系统中的逆变和整流模块、电机驱动和变频器中的功率开关，以及电焊机、等离子切割机等专业设备的高频功率部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍占据重要地位。

• 型号:STW26NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:135 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW26NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和30A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为135毫欧，有效降低了功率导通损耗。同时，102nC的最大栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动电路的负担。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及工业逆变器等系统效率与功率密度的关键元件。