STW28N65M2

STW28N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与出色的开关性能之间的卓越平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时优化了内部电荷分布，从而有效控制了开关过程中的动态特性。这种架构使得器件在高压、大电流工作条件下，能够保持高效率和可靠性，为功率转换系统的性能提升奠定了坚实基础。

在电气特性方面，该MOSFET的额定漏源电压（V_DSS）高达650V，连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达20A，确保了其在严苛的离线式电源拓扑中的稳健运行。其关键优势体现在极低的导通电阻，典型值仅为180毫欧（在10A，10V条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Q_g）被控制在35nC（@10V）的较低水平，结合1440pF（@100V）的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并提升开关频率。

该器件采用标准的TO-247通孔封装，提供了优异的导热路径，其最大功率耗散能力为170W（T_C），结合高达150°C的结温（T_J）工作能力，赋予了系统强大的过载和热管理裕量。其栅源电压（V_GS）支持±25V，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，兼容常见的10-15V驱动电平，易于集成。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借650V的耐压等级、优异的开关特性以及强大的功率处理能力，STW28N65M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及电机驱动和照明系统的功率级。其设计旨在帮助工程师提升能源转换效率，减小系统体积，并增强整体可靠性。

• 型号:STW28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-247封装，额定电压和电流分别为650V和20A，专为高效功率转换应用而设计。

其核心卖点在于MDmesh M2技术带来的优异性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至180毫欧（@10A），有效降低了传导损耗；同时，栅极总电荷（Q_g）仅为35nC，有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。这些特性使其在高压、高频工作条件下仍能保持高效率。

此外，器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为170W，具备良好的热性能和可靠性，适用于对效率和鲁棒性有严苛要求的工业电源与电机控制领域。