STW28NK60Z

STW28NK60Z是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元设计和先进的制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在有效控制高电压下的电场分布，从而确保在600V的漏源电压下仍能保持稳定的电气特性，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

得益于SuperMESH技术，该MOSFET展现出显著的功能优势。其导通电阻在10V栅极驱动电压、13.5A漏极电流条件下典型值仅为185毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平，有助于提升系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值被优化至264nC，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，并降低了驱动电路的负担，有利于实现高频开关操作。器件在25°C壳温下可支持高达27A的连续漏极电流，并具备350W的最大功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热潜力。

在接口与参数方面，STW28NK60Z采用标准的三引脚TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）为6350pF，设计驱动电路时需将此动态参数纳入考量。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的环境条件。如需获取该器件的库存或替代方案咨询，可以联系专业的ST授权代理。

该器件主要面向需要高效、可靠高压开关解决方案的应用场景。其600V/27A的规格使其非常适合用于开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）系统中的功率转换级。在这些应用中，其低导通电阻和优化的开关特性有助于减少能量损失，提升功率密度，而高耐压特性则保障了系统在电网波动或感性负载下的运行可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关领域仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW28NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:264 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW28NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与27A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术亮点在于通过SuperMESH技术实现了优异的导通特性，在10V Vgs、13.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至185毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为264nC，有利于实现快速开关并简化驱动设计。这些参数共同指向高效、紧凑的功率转换解决方案。