STW28NM60ND

STW28NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计，其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。作为FDmesh II系列的一员，它继承了该系列在降低栅极电荷和开关损耗方面的显著优势，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了其在严苛的工业电压环境下的可靠性与安全性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为23A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、11.5A电流条件下典型值仅为150毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，最大栅极电荷（Qg）被控制在62.5nC，结合2090pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并进一步提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STW28NM60ND的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备一定的噪声抑制能力。器件最大功耗为190W（Tc），结温（TJ）最高可工作至150°C，展现了良好的热性能。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术文档、评估板以及深入的设计支持。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STW28NM60ND非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）电路和主变换拓扑（如半桥、全桥）的理想选择。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等对能效和可靠性有高要求的领域，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师构建更紧凑、更高效的功率系统。

• 型号:STW28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW28NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW28NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和23A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至150毫欧（@10V， 11.5A），能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg， 最大值62.5nC）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能功率转换设计的可靠选择。