STW30N20

STW30N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过先进的沟槽栅极工艺实现了优异的电气性能，能够在高电压下稳定工作，同时保持较低的开关损耗和导通损耗，为系统级的能效提升提供了坚实的基础。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达30A的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜力。其关键特性在于极低的导通电阻，在典型工作条件（15A，10V Vgs）下，Rds(on)最大值仅为75毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在38nC @ 10V，结合1597pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并提升系统开关频率。

在接口与参数方面，STW30N20的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。其最大功率耗散为125W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了宽泛的环境适应性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的产品信息、技术资料或库存查询服务。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多存量或特定设计中仍具参考价值。

这款器件典型的应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器中的功率开关单元。其高耐压、大电流和低导通电阻的特性，使其非常适合用于要求高效率和高功率密度的桥式拓扑、硬开关或软开关电路中，是工程师在构建200V级别功率处理平台时曾广泛考虑过的经典选择之一。

• 型号:STW30N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW30N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200V的电压和30A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值75mΩ @ 15A, 10V），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。

此外，其优化的栅极电荷（38nC @ 10V）和输入电容特性有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，并简化驱动电路的设计。尽管该产品目前已停产，但其125W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，曾使其成为工业电源、电机驱动和功率转换等领域中追求高可靠性与高性能的经典解决方案之一。