STW30NM60N

作为意法半导体（STMicroelectronics）MDmesh II系列中的一员，STW30NM60N是一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-247-3通孔封装。其核心架构基于先进的MDmesh II技术，该技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在高压条件下实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种设计使得器件在开关过程中能够有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。

该器件的功能特点突出体现在其高压大电流的处理能力上。它具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id），确保了在严苛的功率应用中的高可靠性。其导通电阻在10V栅极驱动电压、12.5A漏极电流条件下典型值仅为130毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。同时，最大91nC的栅极总电荷（Qg）有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与关键参数方面，STW30NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力，而其栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。尽管其输入电容（Ciss）相对较大，但在MDmesh II技术的优化下，开关性能依然得到保障。器件在管壳温度（Tc）下的最大功耗为190W，最高结温（Tj）可达150°C，配合TO-247封装良好的散热特性，使其能够应对持续的高功率耗散。对于需要获取该器件技术资料或库存信息的用户，可以咨询专业的ST中国代理。

基于其优异的性能参数，STW30NM60N非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的初级侧开关。此外，它也常被用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备的功率转换级中，作为核心的开关元件，帮助系统实现紧凑的设计和更高的能源转换效率。

• 型号:STW30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW30NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气特性基础。

其技术亮点在于MDmesh II技术带来的低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为130毫欧 @ 12.5A，有效降低了传导损耗。同时，最大91nC的栅极电荷（Qg）有利于实现快速的开关切换，从而提升系统整体效率并简化驱动设计。这些特性使其成为高效率电源和工业功率转换应用的理想选择。