STW32NM50N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的一款高性能功率器件，STW32NM50N采用先进的N沟道垂直结构MOSFET技术。其核心架构基于优化的单元设计和第二代MDmesh工艺，该工艺通过在漏极侧引入独特的电荷平衡结构，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。这种设计使得器件在维持高击穿电压的同时，能够实现更低的开关损耗和导通损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件具备多项突出的电气特性。高达500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值达到22A，结合仅130毫欧（典型值，条件为11A，10V）的低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计也经过优化，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，且在10V驱动电压下的栅极总电荷（Qg）典型值仅为62.5nC，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速、干净的开关切换，从而减少开关损耗。

在接口与参数方面，STW32NM50N采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）为150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散可达190W。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链和本地技术支持的开发者，可以通过授权的ST代理商获取该产品的完整数据手册、样品以及应用设计支持。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，该MOSFET非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括工业电机驱动、开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备的功率级设计。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师实现高效、紧凑型电源解决方案的优选功率开关器件之一。

• 型号:STW32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧，同时栅极总电荷（Qg）典型值仅为62.5nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，其最高结温达150°C，确保了在高温环境下的稳定工作能力。