STW34N65M5

STW34N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和精细的工艺控制，显著降低了单位面积下的导通损耗，同时保持了出色的开关特性与雪崩耐量，为高效率、高可靠性的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温条件下可支持高达28A的连续漏极电流。其关键特性之一是极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、14A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为110毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在62.5nC（@10V），结合2700pF（@100V）的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了更宽的安全工作裕度。

在接口与热管理方面，STW34N65M5采用工业标准的TO-247通孔封装，便于安装和散热。其最大功率耗散能力为190W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购和稳定供货的客户，可以通过官方授权的ST一级代理渠道获取原装正品和技术支持。这些参数共同指向一个目标：在提升功率密度的同时，优化系统的整体能效和可靠性。

凭借其高性能指标，STW34N65M5非常适用于对效率和功率密度有严格要求的离线式开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等领域的功率级设计中，也能作为核心开关元件，有效处理高电压、大电流的功率转换任务，是实现紧凑型、高效率电力电子系统的理想选择。

• 型号:STW34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）和28A连续漏极电流（Tc），专为高效功率转换而设计。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上：最大导通电阻（Rds(On)）低至110毫欧（@14A, 10V），能显著降低传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为62.5nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的中高功率应用的理想选择。