STW34NB20

STW34NB20是ST意法半导体基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高功率密度与卓越的开关性能之间的平衡。其核心设计通过精细的单元结构和低栅极电荷特性，有效降低了导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该器件具备200V的漏源击穿电压(Vdss)和在壳温(Tc)条件下高达34A的连续漏极电流(Id)能力，展现了其强大的功率处理潜能。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、17A漏极电流条件下典型值仅为75毫欧，这一低导通阻抗特性对于减少传导损耗、提升系统整体效率至关重要。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为80nC，结合3300pF的输入电容(Ciss)，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并进一步提升高频开关性能。

在接口与可靠性方面，STW34NB20采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温(TJ)可达150°C，在壳温条件下最大功率耗散为180W，确保了在严苛环境下的稳定运行。栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±30V，提供了设计上的灵活性并增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借其优异的电气参数，该MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、电机驱动与控制的H桥或三相逆变器电路、不间断电源(UPS)的功率转换模块，以及工业照明和焊接设备中的功率调节部分。其设计旨在满足这些应用中对低损耗、快速开关及鲁棒性的核心需求。

• 型号:STW34NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW34NB20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括200V的漏源电压(Vdss)和在壳温条件下34A的连续漏极电流(Id)处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关特性：在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至75毫欧（@17A），能显著降低功率传导损耗；同时，极低的栅极电荷(Qg，最大80nC)和输入电容有助于实现快速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动及工业功率转换等应用的理想选择。