STW34NM60N

STW34NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在单一硅片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心在于创新的单元设计和工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时通过优化的内部布局有效控制了寄生电容，这对于提升高频开关性能至关重要。得益于这种架构，器件在保持高阻断电压能力的同时，开关动态特性得到了显著改善。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为105毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，有助于提升整体能效。同时，其总栅极电荷（Qg）最大值控制在80nC，结合较低的输入电容，使得驱动损耗和开关过渡时间得以减少，特别适合工作在高频下的硬开关和软开关拓扑。

在接口与参数层面，STW34NM60N采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热。其在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值为29A，最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的驱动安全范围。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其最高结温（Tj）可达150°C，最大功率耗散为250W（Tc），展现了强大的热性能和处理高功率脉冲的能力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的ST授权代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高电压、低损耗和高频性能的组合，这款器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。其主要应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、服务器和电信设备的功率因数校正电路、不间断电源（UPS）的逆变和整流模块，以及高性能电焊机和电机驱动器的功率级。在这些应用中，它能够有效降低系统热设计难度，提升功率转换效率，是实现紧凑、高效电力电子系统的关键组件之一。

• 型号:STW34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW34NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低至105毫欧的导通电阻（Rds(on)）的优异结合，同时总栅极电荷（Qg）最大值仅为80nC。

这些参数共同指向了其设计目标：在高电压应用中实现低传导损耗和高频开关性能。其29A（Tc）的连续漏极电流额定值和150°C的最高结温，确保了器件在严苛工况下的可靠性与强大的功率处理能力。这款MOSFET专为提升效率与功率密度而优化，是构建高效电力转换系统的理想选择。