STW35N60DM2

STW35N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh DM2系列高性能功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。其N沟道设计基于成熟的硅基MOSFET工艺，确保了器件在高压、大电流工作条件下的可靠性与稳定性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

这款MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能组合。它具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id）能力，能够从容应对工业级应用中的高压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、14A电流条件下典型值仅为110毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，54nC的栅极电荷（Qg）与优化的内部结构相结合，实现了快速的开关速度，有助于提升系统的工作频率并降低开关损耗，这对于追求高功率密度的设计至关重要。

在接口与参数方面，STW35N60DM2采用标准的TO-247通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，提供了良好的设计灵活性和抗干扰能力。器件的输入电容（Ciss）典型值为2400pF，与低栅极电荷共同决定了其易驱动的特性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗可达210W（Tc），展现了强大的热性能和鲁棒性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

基于其高性能指标，STW35N60DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STW35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW35N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和28A的连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其关键性能优势体现在极低的导通损耗与优异的开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧 @ 14A，同时栅极总电荷（Qg）低至54nC @ 10V。这种低Rds(on)与低Qg的组合，确保了在高频开关电源设计中能够同时实现高效率与低电磁干扰（EMI）。

此外，器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗达210W（Tc），具备出色的热性能和可靠性，使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等苛刻应用的理想选择。