STW35N60M2-EP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW35N60M2-EP是一款采用TO-247封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件隶属于ST先进的MDmesh M2-EP产品系列，该系列专为在硬开关和软开关拓扑中实现卓越的能效而设计。其核心架构基于优化的垂直型DMOS结构，并结合了独特的单元布局与先进的工艺技术，旨在显著降低单位面积的导通电阻（RDS(on)），同时优化开关性能与栅极电荷（Qg）之间的平衡，从而在高压应用中实现更低的传导与开关损耗。

该器件具备多项关键特性，使其在高压功率转换领域表现出色。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，适用于市电整流后的高压总线环境。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）可达26A，确保了强大的电流处理能力。得益于MDmesh M2-EP技术，它在保持低栅极电荷的同时，实现了优异的导通电阻特性，这直接转化为更低的导通损耗和更高的开关频率潜力，有助于提升系统整体功率密度。其最高结温（Tj）为150°C，提供了宽泛的安全工作温度范围，增强了在恶劣热环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

在接口与参数方面，STW35N60M2-EP采用标准的三引脚TO-247通孔封装，便于安装到散热器上，实现高效的热管理。虽然部分动态参数如特定条件下的RDS(on)、Vgs(th)和Qg在基础参数列表中未详细列出，但作为MDmesh M2-EP系列的一员，其设计重点在于优化品质因数（FOM），即RDS(on)与Qg的乘积，这是评估高压MOSFET开关性能的核心指标之一。这种优化使得驱动电路的设计更为高效，有助于简化栅极驱动并减少开关过程中的损耗。

该MOSFET典型的应用场景涵盖了对效率和可靠性要求严苛的中高功率开关电源系统。它非常适用于服务器和电信设备的开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和DC-DC转换级，工业电机驱动与变频器的逆变桥臂，以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换设备。在这些应用中，其低损耗特性有助于提升整机效率，满足日益严格的能效标准，而其稳健的设计则确保了系统长期运行的稳定性。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STW35N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW35N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款600V N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件针对高压、高效率功率转换应用而优化，在25°C壳温下可提供高达26A的连续漏极电流，并支持最高150°C的结温，确保了在严苛工况下的稳定运行能力。

其核心技术价值在于通过MDmesh M2-EP工艺实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这一特性使其在硬开关和软开关拓扑中均能有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效和功率密度。它主要面向工业级电源、电机驱动及新能源逆变器等要求高可靠性与高效率的应用领域。