STW36NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II系列中的代表性功率器件，STW36NM60N是一款N沟道高压MOSFET，采用先进的平面工艺与专利的垂直结构设计。其核心在于优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡。该器件采用TO-247-3通孔封装，为高功率密度应用提供了坚固的物理基础，其沟槽技术有效降低了单元尺寸，从而在给定的芯片面积内实现了更优的RDS(on)性能。

该器件在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值表现优异，这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)经过精心优化，有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。高达600V的漏源击穿电压和29A的连续漏极电流承载能力，使其能够从容应对工业环境中的电压尖峰和持续大电流工况。其结温最高可至150°C，并具备210W的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的可靠运行。对于需要技术支持与稳定供应的项目，可以咨询专业的ST中国代理以获取更详细的应用支持。

在电气参数方面，STW36NM60N在25°C壳温下可连续通过29A电流，其最大导通电阻在14.5A、10V条件下仅为105毫欧。其栅极阈值电压最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力，而±25V的最大栅源电压范围则为驱动设计提供了充足的裕量。这些参数共同定义了一个高效、强健的开关界面，使得工程师能够基于此构建高性能的功率转换拓扑。

基于其高耐压、低损耗和强电流处理能力，这款MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器、不同断电源(UPS)以及焊接设备等领域的功率开关部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计、备件维护或特定批次的采购中，它仍然是一个经过市场验证的关键器件选项。

• 型号:STW36NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW36NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道600V功率MOSFET，隶属于其成熟的MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，在25°C壳温下可提供高达29A的连续漏极电流，其最大导通电阻低至105毫欧（@10V，14.5A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统能效。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷仅为83.6nC，有助于实现快速的开关转换并降低驱动损耗。结合600V的高漏源击穿电压和150°C的最大结温，该器件为要求严苛的功率开关应用提供了一个可靠、高效的解决方案，适用于工业电源、电机驱动等高功率密度场景。