STW36NM60ND

STW36NM60ND是ST意法半导体推出的一款面向汽车级应用的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的FDmesh II技术平台构建，这一架构通过优化的单元设计和精细的工艺控制，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻与出色的电荷平衡。其核心优势在于显著降低了导通损耗和开关损耗，这对于提升系统效率、减少热管理负担至关重要，尤其适用于高频开关应用场景。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压(Vdss)和29A的连续漏极电流(Id)能力，提供了宽裕的电压与电流设计余量。在导通特性方面，其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、14.5A电流条件下典型值仅为110毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。同时，其栅极总电荷(Qg)典型值为80.4nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的功耗，并支持更高频率的开关操作，从而优化了开关性能与驱动效率的平衡。

在接口与可靠性参数上，该器件设计稳健，栅源电压(Vgs)可承受±25V，增强了抗门极噪声干扰的能力。其最大结温(TJ)高达150°C，配合TO-247通孔封装，确保了出色的散热性能和机械坚固性，使其能在高温、高振动的严苛环境下稳定工作。该产品符合AEC-Q101标准，满足了汽车电子对可靠性的严苛要求。对于需要高品质、高可靠性元器件的设计项目，通过专业的ST代理商进行采购是确保产品来源与技术支持的重要途径。

基于其高性能与高可靠性，STW36NM60ND非常适合于汽车应用中的核心功率转换模块，例如电动/混动汽车的OBC（车载充电器）、DC-DC转换器以及电机驱动逆变器。此外，在工业电源、服务器电源、不间断电源(UPS)以及大功率照明驱动等需要高效能、高电压开关的场合，该器件同样能发挥关键作用，帮助工程师实现更高功率密度和更优能效的系统设计。

• 型号:STW36NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW36NM60ND是ST意法半导体FDmesh II系列中的一款汽车级(AEC-Q101)N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心电气参数包括600V的漏源电压(Vdss)和29A的连续漏极电流(Id)，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键性能优势体现在极低的导通损耗与优化的开关特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻(Rds(on))典型值仅为110mΩ，同时栅极总电荷(Qg)典型值为80.4nC，这共同实现了高效率与低驱动损耗的平衡。这些特性使其成为汽车车载充电器(OBC)、DC-DC转换器及工业电源等高要求功率转换应用的理想选择。