STW38N65M5

STW38N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心在于优化的垂直型DMOS结构，该结构在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这直接关系到开关损耗和导通损耗的降低，从而提升系统整体能效。

该MOSFET的突出特性包括高达650V的漏源击穿电压，这使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流线路电压波动与开关感性负载时产生的电压尖峰，确保了系统的鲁棒性与可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为30A，具备强大的电流处理能力。其导通电阻在15A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为95毫欧，这一低Rds(on)特性对于减少导通状态下的功率耗散至关重要，有助于降低温升并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为71nC，结合较低的输入电容，意味着器件所需的驱动能量较小，可以实现更快的开关速度并降低驱动电路的损耗。

在电气参数方面，STW38N65M5的栅极阈值电压典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性，其最大栅源电压为±25V，为栅极驱动提供了充足的安全裕量。器件在壳温条件下的最大功率耗散为190W，结合高达150°C的最大结温，赋予了其在严苛热环境下的稳定工作能力。这些参数共同构成了一个高效、坚固的功率开关解决方案。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

得益于其高性能与高可靠性，STW38N65M5非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）中的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源系统中的功率开关单元。其TO-247封装提供了优异的导热路径，便于安装散热器，满足中高功率等级应用的热管理需求。

• 型号:STW38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW38N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心电气规格为650V漏源电压和30A连续漏极电流，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在MDmesh V技术带来的优异性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻低至95毫欧（@15A），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷最大值仅为71nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率和功率密度方面表现卓越。

该器件设计坚固，最大结温达150°C，功率耗散能力为190W，确保了在严苛环境下的长期工作可靠性。它主要面向工业电源、电机驱动、光伏逆变器及高端服务器电源等要求高效率与高可靠性的功率转换领域。