STW3N150

STW3N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在1500V的超高漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。其内部架构旨在最大限度地降低开关损耗和传导损耗，这对于高压开关应用中的效率提升至关重要。得益于坚固的体二极管和稳健的雪崩耐量设计，该器件在应对感性负载开关等严苛工况时表现出高度的可靠性。

该MOSFET的核心特性在于其1500V的阻断电压能力与优化的动态参数。在10V驱动电压下，其最大导通电阻仅为9欧姆（@1.3A），而最大栅极总电荷（Qg）控制在29.3nC（@10V）的较低水平。这种低Qg特性意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低驱动损耗，特别适合高频开关电源设计。同时，其输入电容（Ciss）最大值仅为939pF（@25V），进一步减少了开关过程中的米勒效应影响，提升了系统的稳定性。器件的栅极-源极电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，为驱动设计提供了更大的裕度和灵活性。

在电气参数方面，STW3N150在壳温（Tc）条件下可支持2.5A的连续漏极电流，最大功耗达140W。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力。器件采用工业标准TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其结温（Tj）最高可工作在150°C，适应高温环境下的持续运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品，确保原厂正品和完整的应用支持。

凭借其高压、低损耗的特性，该器件主要面向对效率和电压等级有严苛要求的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、UPS（不间断电源）系统、高压DC-DC转换器、太阳能逆变器中的辅助电源以及各类电机驱动和照明镇流器。在这些场景中，它能够有效处理高电压总线，同时通过其快速的开关性能帮助系统实现更高的功率密度和整体能效。

• 型号:STW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW3N150的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件设计用于处理高达1500V的漏源电压（Vdss），并在壳温条件下提供2.5A的连续电流能力，最大功耗为140W。

其技术优势体现在优异的动态特性上，包括低至9欧姆的导通电阻（@1.3A, 10V）和仅29.3nC的栅极电荷（@10V），这共同实现了高效的开关性能与较低的驱动损耗。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，最高结温可达150°C，确保了在高压、高功率应用环境下的可靠性与耐久性。