STW40N95DK5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW40N95DK5是一款高性能的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh DK5系列。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构基于意法半导体专有的超结技术，通过精心设计的电荷平衡机制，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在高达950V的漏源电压下，依然能提供优异的开关效率和功率处理能力。

在功能特性方面，STW40N95DK5展现了出色的性能指标。其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、19A漏极电流条件下典型值仅为130毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，该器件拥有优化的栅极电荷（Qg）特性，典型值在10V下为100nC，这有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使其在硬开关和软开关拓扑中都能高效工作。其高达38A（Tc=25°C）的连续漏极电流和450W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了其在严苛功率应用中的可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

在接口与关键参数上，STW40N95DK5提供了广泛的操作裕度。其漏源击穿电压（Vdss）高达950V，为工业级应用提供了充足的安全边际。栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。输入电容（Ciss）在100V下最大为3480pF，结合其开关特性，使其在频率与效率之间能达到良好折衷。器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的散热性能，工作温度范围覆盖-55°C至150°C，适用于环境要求苛刻的场合。

基于其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STW40N95DK5非常适合于要求严苛的中高功率开关电源应用。典型应用场景包括工业电源、服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的功率转换级。其设计旨在帮助工程师提升系统功率密度和能效，同时满足现代电子设备对可靠性和热管理的严格要求。

• 型号:STW40N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW40N95DK5是ST意法半导体MDmesh DK5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与低至130毫欧（@10V，19A）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，这得益于其先进的超结技术，能有效降低传导损耗。

其38A（Tc）的连续漏极电流承载能力和450W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高功率应用中的稳定运行。优化的栅极电荷（典型值100nC @10V）有助于实现高效率的快速开关，降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、PFC电路、UPS和太阳能逆变器等中高功率、高可靠性开关电源设计的理想选择。