STW40N95K5

STW40N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，在实现高达950V的漏源击穿电压（Vdss）的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这种架构上的平衡设计，使得器件在高压开关应用中能够兼顾高耐压与低损耗，有效提升了功率转换系统的整体效率。

得益于MDmesh K5技术的应用，该MOSFET展现出卓越的电性能。其导通电阻在10V驱动电压、19A漏极电流条件下典型值仅为130毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，栅极总电荷（Qg）被控制在93nC（@10V）的较低水平，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的驱动损耗和开关延迟得以减少，有利于实现更高频率的开关操作。器件支持±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。

在封装与可靠性方面，STW40N95K5采用工业标准的TO-247通孔封装，具备优异的散热能力，其最大功率耗散可达450W（Tc）。该封装形式坚固可靠，便于安装在散热器上，适用于高功率密度设计。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，能够适应严苛的环境温度要求。其连续漏极电流在壳温条件下额定为38A，为设计提供了充足的电流余量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

综合其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及强大的功率处理能力，这款MOSFET非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率开关电源应用。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器的DC-DC升压或逆变桥臂，以及电焊机、电机驱动等工业设备中的功率开关单元。其性能表现使其成为提升系统能效和功率密度的关键元件选择。

• 型号:STW40N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW40N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性在于其950V的高漏源击穿电压与38A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至130毫欧（@19A），有效降低了导通损耗。同时，93nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升系统效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为450W，确保了在苛刻环境下的稳定运行与高可靠性。