STW43NM50N

STW43NM50N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直扩散MOS（VDMOS）架构，通过优化的单元结构和外延层设计，在高压条件下实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心在于多漏极（MD）网状栅极技术，该技术显著增加了单元密度，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时通过精心设计的电荷平衡机制，控制了开关过程中的动态损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其500V的漏源击穿电压（V_DSS）与低至85mΩ（典型条件下）的导通电阻的组合。高耐压使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，而低导通电阻则直接降低了器件在导通状态下的传导损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极驱动设计较为友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了足够的噪声裕量。此外，140nC的栅极总电荷（Q_g）处于同类产品的优秀水平，这意味着在高速开关应用中，所需的驱动功率更小，开关速度更快，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，该器件在壳温（T_C）25°C下可连续通过37A的漏极电流，最大功耗达255W，结温（T_J）最高可至150°C，展现了强大的电流处理与散热能力。其采用经典的TO-247-3通孔封装，具有优异的导热路径和机械强度，便于安装在散热器上，满足中高功率应用的散热需求。需要注意的是，其输入电容（C_iss）典型值为4200pF，在设计驱动电路时需予以考虑，以确保快速的开关瞬态响应。用户可通过ST授权代理获取该器件的完整技术资料、应用支持以及供货信息。

凭借高耐压、低导通损耗和良好的开关特性，STW43NM50N非常适用于对效率和可靠性有严格要求的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动和逆变器平台。在这些应用中，它常被用作主开关管或同步整流管，是构建高效、紧凑型功率转换系统的关键元件之一。

• 型号:STW43NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 18.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW43NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和37A连续漏极电流（I_D），专为要求高耐压与高电流处理能力的应用而设计。

其技术优势体现在MDmesh II技术带来的优异性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至85mΩ，有效降低了导通损耗；同时，栅极总电荷（Q_g）典型值为140nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下，能提供最高255W的功率处理能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。