STW43NM60ND

STW43NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达600V，使其能够从容应对工业电机驱动、开关电源（SMPS）等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达35A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、17.5A测试条件下典型值仅为88毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，有助于简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在145nC，结合±25V的最大栅源电压（Vgs）范围，意味着它具备快速的开关特性和良好的驱动兼容性，有利于优化开关频率并降低驱动电路的复杂性。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-247封装，便于安装和散热管理。其最大功率耗散能力为255W（Tc），结合高达150°C的结温（Tj）工作范围，赋予了其在恶劣热环境下的可靠运行潜力。输入电容（Ciss）等动态参数经过精心优化，旨在减少开关过程中的振荡和损耗。用户可通过正规的ST授权代理获取完整的技术资料、应用支持以及可靠的供货渠道，以确保设计方案的顺利实施。

得益于其高耐压、大电流和低损耗的特性组合，STW43NM60ND非常适用于要求严苛的功率电子领域。典型应用包括但不限于工业级开关模式电源（尤其是PFC和高压DC-DC转换级）、不间断电源（UPS）的逆变与整流模块、以及各类电机驱动和变频器中的功率开关单元。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型高功率密度解决方案的关键元件之一。

• 型号:STW43NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:145 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW43NM60ND是ST意法半导体推出的一款采用FDmesh技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247-3。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与35A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至88毫欧（@17.5A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为145nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。这些参数共同指向了高效率与高功率密度的设计目标。

该器件适用于工业电源、电机驱动及UPS等需要高可靠性和高效能开关的场合，其255W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高工作结温确保了其在严苛环境下的稳定运行。