STW45NM50

STW45NM50是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，专为高电压、大电流应用环境设计，在功率转换系统的效率和可靠性方面树立了标杆。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过创新的垂直结构设计，显著降低了传导损耗和开关损耗，为工程师提供了兼具高性能与高鲁棒性的半导体解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其500V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压场合下的安全裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达45A，配合仅100毫欧（典型值）的低导通电阻（Rds(on)），使得在大电流通过时产生的热量被有效抑制，从而提升了整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路设计。此外，其工作结温范围宽达-65°C至150°C，并拥有高达417W的功率耗散能力，展现了出色的热性能和可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购，确保获得原装正品与技术支持。

在电气参数方面，STW45NM50在10V栅源电压、22.5A漏极电流测试条件下的导通电阻最大值仅为100毫欧，这一低阻值是其低损耗特性的直接体现。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。器件允许的栅源电压范围为±30V，为驱动电路的设计提供了灵活性。这些参数共同构成了该器件高效、坚固的电气性能基础，使其能够应对严苛的开关环境。

基于其高性能规格，STW45NM50非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器中的功率级，以及电机驱动和焊接设备中的高频逆变器。在这些应用中，其低导通电阻和优化的开关特性有助于提升系统整体效率，降低散热需求，而高耐压和宽温度范围则保障了系统在复杂工业环境下的长期稳定运行。

• 型号:STW45NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW45NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气规格包括500V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为100毫欧。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。结合高达417W的功率处理能力和-65°C至150°C的宽工作结温范围，此器件旨在提升功率转换系统的效率、功率密度及可靠性。