STW48N60M6

作为意法半导体MDmesh M6系列中的一员，STW48N60M6是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和垂直导电结构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。该器件采用TO-247通孔封装，为高功率应用提供了坚固的物理基础和高效的散热路径，确保在严苛环境下稳定工作。

该器件在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够提供高达39A（Tc）的连续漏极电流，展现了其强大的功率处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、19.5A电流条件下，典型值仅为69毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STW48N60M6具有宽泛的栅源电压（Vgs）工作范围（±25V）和适中的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值4.75V），这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。其输入电容（Ciss）等动态参数经过精心优化，旨在抑制高频振荡，提升电磁兼容性。该器件支持高达250W（Tc）的功率耗散，并拥有-55°C至150°C的宽广结温工作范围，确保了其在工业级应用中的长期可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取此产品及相关服务。

凭借其高性能与高可靠性，STW48N60M6非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在服务器电源、通信电源及工业电源等中高功率AC-DC转换器中。此外，它在电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等设备的功率级设计中，也是实现高效能量转换的核心组件之一。

• 型号:STW48N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW48N60M6是ST意法半导体推出的MDmesh M6系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件额定电压为600V，在25°C壳温下可连续通过39A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值69mΩ @10V, 19.5A），能有效降低传导损耗，提升系统效率。

同时，其优化的栅极电荷（最大57nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗。器件支持高达250W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，是高功率、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。