STW48NM60N

STW48NM60N是一款基于意法半导体（STMicroelectronics）先进MDmesh II技术平台开发的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和工艺技术，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，是提升功率转换系统效率的关键。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和44A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下典型值仅为70毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，栅极电荷（Q_g）最大值控制在124nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的电压电流应力，并简化栅极驱动电路的设计。

器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其结壳热阻低，支持高达330W（T_C=25°C）的功率耗散，结合最高150°C的结温（T_J）工作能力，使其能够在苛刻的热环境下稳定运行。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STW48NM60N非常适用于要求高效率和高功率密度的开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）、LLC谐振转换器、电机驱动逆变器以及不间断电源（UPS）等工业与消费类电力电子系统。其稳健的性能使其成为工程师在开发先进能源转换方案时的优选功率开关器件。

• 型号:STW48NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 44A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:124 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4285 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW48NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和44A的连续漏极电流（I_D）。

其技术优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，典型导通电阻（R_DS(on)）为70mΩ @ 10V，最大栅极电荷（Q_g）为124nC，这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。器件采用TO-247封装，提供良好的散热能力，最大功率耗散达330W，工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。