STW50NB20

STW50NB20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其内部采用了优化的单元结构和沟槽栅技术，有效降低了导通电阻与栅极电荷，从而在高压大电流应用中显著减少了导通损耗和开关损耗。

该器件具备200V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达50A的连续漏极电流（Id）能力，展现出强大的功率处理潜能。其关键特性在于优异的导通性能，在10V栅极驱动电压、25A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为55毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为115nC，结合3400pF的输入电容（Ciss），意味着它具备较快的开关速度，有利于提升系统频率并降低开关损耗。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，其结温（Tj）最高可工作于150°C，并拥有280W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的可靠性。

在接口与参数方面，STW50NB20采用标准的三引脚TO-247封装，便于安装和散热管理。其阈值电压Vgs(th)最大为5V，确保了良好的噪声免疫能力。这些参数共同定义了一款适用于高压、大电流开关场景的稳健功率开关管。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购与咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能使其在过去及当前的许多工业与汽车应用中得到验证。它非常适合于开关电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及电焊机等需要高效能功率转换的领域。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关特性有助于提升整体系统能效和功率密度。

• 型号:STW50NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW50NB20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下50A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术优势体现在优异的导通与开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至55毫欧（@25A），有效降低了导通损耗；同时，115nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。器件设计稳健，支持±30V的栅源电压，最高结温达150°C，适用于要求高可靠性的功率开关场景。