STW52NK25Z

STW52NK25Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在250V的漏源电压（Vdss）等级下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片采用坚固的TO-247-3通孔封装，提供了优异的导热路径，确保在高达300W（Tc）的功率耗散下，结温（TJ）能在-55°C至150°C的宽范围内稳定工作。

该器件在25°C壳温下可支持高达52A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、26A漏极电流条件下，典型导通电阻最大值仅为45毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为160nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于简化栅极驱动电路设计，并实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。栅源电压（Vgs）支持±30V的最大范围，提供了良好的抗干扰能力和驱动灵活性。

在电气参数方面，STW52NK25Z的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（测试条件为150A漏极电流），属于标准逻辑电平兼容范围，便于由常见的控制器直接或通过简单电路驱动。其全面的参数规格使其接口定义清晰，工程师可以依据数据手册精确设计外围电路。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理进行采购，以确保获得原厂正品和相应的设计资源。

得益于其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率开关场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、大功率DC-DC转换器、电机驱动控制器（如变频器、伺服驱动）以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度和能效，满足现代电子设备对高效率、高可靠性的持续追求。

• 型号:STW52NK25Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW52NK25Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为250V漏源电压（Vdss）与52A连续漏极电流（Tc），具备强大的功率处理能力。

其技术优势体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至45毫欧（@26A），能显著降低传导损耗。同时，最大160nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及大功率转换电路效率的理想选择。