STW55NM50N

STW55NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，通过优化单元密度和工艺，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心优势在于实现了低导通损耗与低开关损耗之间的出色平衡，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于坚固的TO-247-3通孔封装内，为高功率应用提供了可靠的散热路径和机械稳定性。

在电气性能方面，该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_{D）额定值高达54A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、27A漏极电流条件下典型值仅为54毫欧，这一低RDS(on)特性直接转化为更低的导通压降和导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在180nC（@10V），结合5800pF的输入电容（Ciss），意味着它需要更少的驱动能量，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。}

该器件设计工作结温（T_J）最高可达150°C，最大功率耗散为350W（T_C），赋予了系统在恶劣热环境下的稳健运行潜力。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在特定存量或升级项目中仍具参考价值。对于需要获取相关技术资料或库存信息的用户，可以咨询专业的ST中国代理以获取进一步支持。

基于其高电压、大电流和优异的开关特性，STW55NM50N非常适用于对效率和可靠性要求苛刻的功率电子领域。典型应用场景包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、大功率音频放大器、电机驱动控制器以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，减少散热需求，从而帮助设计者构建更紧凑、更高效的电力转换解决方案。

• 型号:STW55NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW55NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（V_DSS）和54A（T_C=25°C）的连续漏极电流额定值，具备处理高功率的能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至54毫欧（@27A），有助于最小化导通损耗。同时，180nC（@10V）的栅极电荷（Q_g）和5800pF的输入电容（C_iss）优化了开关性能，有利于降低开关损耗并提升系统效率。这些特性使其成为要求严苛的功率转换应用的理想选择。