STW55NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II系列中的一员，STW55NM60ND是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET。其核心架构基于先进的FDmesh II技术平台，该平台通过优化的单元结构和垂直沟槽设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。这种设计不仅显著降低了传导损耗，还通过优化内部电容特性，有效改善了开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件在600V的漏源电压下，能够提供高达51A的连续漏极电流，其导通电阻在25.5A、10V的驱动条件下典型值仅为60毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（典型值190nC @ 10V）是其另一关键特性，这意味着在开关过程中，驱动电路需要提供的能量更少，从而降低了驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，同时有助于实现更高频率的开关操作。其栅源电压最大可承受±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度，而高达150°C的结温工作能力则确保了其在严苛热环境下的可靠性。

在电气参数方面，STW55NM60ND展现了高压大电流与低损耗的出色结合。其功率耗散能力在管壳温度下可达350W，配合TO-247-3通孔封装，为热量从芯片结到散热器的高效传递提供了便利的物理路径。该封装形式坚固耐用，适合需要高可靠性的工业应用。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它曾是许多高性能电源设计的优选方案。对于仍在维护相关设计的工程师，通过授权的ST代理商获取库存或寻找官方推荐的替代型号是推荐的途径。

基于其技术特性，这款MOSFET主要面向对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源、不间断电源、工业电机驱动以及电焊机等应用场景。其高耐压和大电流能力使其非常适合作为PFC电路、全桥或半桥拓扑中的主开关管，在服务器电源、通信电源等设备中发挥核心作用，帮助系统实现紧凑的尺寸和高效的能源转换。

• 型号:STW55NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW55NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心参数包括600V的漏源击穿电压和51A的连续漏极电流，为功率级设计提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的FDmesh II结构，实现了低至60毫欧的导通电阻与190nC的低栅极电荷的出色组合。这一特性使其在传导损耗和开关损耗方面均表现优异，有助于提升整体系统效率。器件采用标准的TO-247-3通孔封装，支持高达350W的功率耗散，确保了在工业级应用中的热可靠性和鲁棒性。