STW56N60DM2

STW56N60DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于第二代DM2超结技术，通过创新的电荷平衡原理，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效减少传导损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达50A，展现了强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻在25A电流、10V栅极驱动电压下的典型值仅为60毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的通态压降和发热量。此外，栅极总电荷（Qg）最大值控制在90nC（@10V），有助于降低栅极驱动电路的损耗并提升开关速度，简化驱动设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，采用坚固的TO-247通孔封装，散热性能优良，最大功耗可达360W（Tc），适合高功率密度应用。

在接口与参数层面，STW56N60DM2的标准栅极驱动电压为10V，在此电压下可获得最佳的导通电阻性能，其栅源电压最大耐受值为±25V，提供了充足的驱动设计余量。器件的输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大为4100pF，与其他动态参数共同决定了开关行为的细节。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和良好的开关性能，STW56N60DM2非常适用于对效率和可靠性要求严苛的场合。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器、电焊机以及高性能照明镇流器等。它是工程师在构建高效能、高功率密度电力电子系统时的优选功率开关器件之一。

• 型号:STW56N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW56N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于实现了600V高耐压与极低导通电阻的出色结合，其Rds(on)典型值在10V驱动下低至60毫欧（@25A），能显著降低功率损耗。

该MOSFET具备50A的连续漏极电流处理能力和高达360W的功率耗散能力，采用TO-247封装，散热性能优良。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现高速开关并简化驱动设计。这些特性使其成为工业电源、电机驱动、UPS等高效能、高可靠性功率转换应用的理想选择。