STW56N65M2-4

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW56N65M2-4是一款采用先进MDmesh M2技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关性能，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss）和高达49A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，确保了在严苛工况下的高可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、24.5A电流条件下典型值仅为62毫欧，有效降低了导通期间的功率损耗。此外，栅极电荷（Qg）最大值仅为93nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并简化驱动电路设计。其最高结温（Tj）可达150°C，并采用TO-247-4L封装，该四引脚封装将开尔文源极连接独立引出，能够显著抑制寄生电感对栅极驱动回路的影响，进一步提升开关性能的稳定性和可控性。

在电气参数方面，STW56N65M2-4的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过精心优化，有助于在高频应用中降低谐振风险。这些特性使其非常适用于对效率和功率密度有极高要求的场合，例如服务器/电信电源的功率因数校正（PFC）电路、工业电机驱动的逆变器模块、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）系统。对于需要可靠供应链和技术支持的设计项目，可以咨询ST中国代理以获取更详细的产品资料、样品及本地化服务。

• 型号:STW56N65M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW56N65M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件提供650V的漏源电压额定值和49A（Tc）的高电流处理能力，其核心优势在于实现了62毫欧的低导通电阻与93nC的低栅极电荷的出色组合，这直接转化为更低的导通与开关损耗，从而提升系统整体能效。

器件采用TO-247-4L封装，独立的开尔文源极引脚优化了栅极驱动回路，确保了快速、稳定的开关性能。其最高工作结温为150°C，功率耗散能力达358W（Tc），具备高可靠性。这些特性使其成为要求严苛的高效率、高功率密度开关电源和功率转换应用的理想选择。