STW57N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的高性能功率器件，STW57N65M5是一款N沟道高压MOSFET，采用先进的超结技术制造。其核心架构旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，通过优化的单元结构和垂直导电设计，有效降低了单位面积的比导通电阻（Rds(on)）。该器件采用TO-247封装，为功率转换应用提供了坚固的物理基础和出色的散热能力，确保在高功率密度设计中实现可靠的热管理。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的动态与静态性能上。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车环境中常见的电压应力与开关尖峰，为系统提供了充裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至63毫欧（@21A），这直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为98nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，实现了快速的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关电源拓扑至关重要。这些特性共同作用，使得器件在硬开关和软开关应用中均能表现出色。

在接口与关键参数方面，STW57N65M5在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为42A，最大功耗为250W，结温（Tj）最高可至150°C，展现了强大的电流处理能力和鲁棒性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声免疫力，而±25V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全范围。输入电容（Ciss）等参数经过精心优化，有助于简化驱动电路设计并抑制寄生振荡。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过正规的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和获得完整服务支持的重要途径。

基于其高性能规格，STW57N65M5非常适用于对效率和可靠性要求严苛的应用场景。在工业领域，它是服务器/电信电源、大功率工业开关电源（SMPS）、电焊机和不同断电源（UPS）系统中功率因数校正（PFC）和DC-DC转换级的关键组件。在消费电子领域，可用于高端液晶电视和游戏机的主电源。此外，其高耐压和高效特性也使其适用于电动汽车的辅助电源、车载充电机（OBC）等汽车电子应用，以及太阳能逆变器中的升压和逆变电路，是实现高能效功率转换的可靠选择。

• 型号:STW57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW57N65M5是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与低至63毫欧（@21A，10V）的导通电阻的出色结合，这显著降低了功率开关应用中的传导损耗。

其动态性能同样优异，最大栅极电荷仅为98nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。器件额定连续漏极电流为42A（Tc），最大结温达150°C，具备强大的电流处理能力和高温工作稳定性。这些特性使其成为工业电源、太阳能逆变器、电动汽车车载充电及高端消费类电源等高效、高可靠性功率转换设计的理想选择。