STW60NE10

STW60NE10是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和先进的工艺技术，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡，这是评估功率MOSFET开关性能与损耗的关键品质因数（FOM）。

在电气特性方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在工业和汽车环境中应对电压尖峰提供了充足的裕量。其导通电阻在结温（T_c）25°C、栅源电压（V_GS）为10V的条件下，典型值低至22毫欧（@ 30A），这意味着在传导状态下能够实现极低的功率损耗，显著提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在185nC（@ 10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

该MOSFET的额定连续漏极电流（I_D）在特定壳温条件下可达60A，最大功耗为180W，最高工作结温为175°C，展现了其强大的电流处理能力和鲁棒性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。标准的TO-247-3封装确保了出色的散热性能和机械强度，便于安装在需要高可靠性的功率板上。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STW60NE10非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和工业逆变器中的功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类高功率MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STW60NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW60NE10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于基于STripFET技术，实现了100V漏源电压（Vdss）与低至22毫欧（@10V，30A）的导通电阻之间的优异平衡，这直接转化为在高电流（连续漏极电流Id可达60A）工作状态下更低的传导损耗。

该器件具备良好的开关性能，其栅极电荷（Qg）最大值为185nC，有助于降低开关损耗并简化驱动设计。高达180W的功率耗散能力和175°C的最大工作结温，确保了其在严苛环境下的可靠性与热稳定性。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的理想选择。