STW62NM60N

作为ST意法半导体MDmesh II功率MOSFET产品系列中的一员，STW62NM60N是一款N沟道增强型功率开关器件，采用先进的垂直扩散MOS（VDMOS）工艺与专利的MDmesh II技术构建。其核心架构通过优化单元密度和电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系。这种设计使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压、32.5A测试条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为49毫欧，这直接转化为更低的通态功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_g）在10V条件下最大值为174nC，结合适中的栅极阈值电压（V_GS(th)），有助于简化驱动电路设计并降低开关过程中的驱动损耗。

在封装与接口方面，STW62NM60N采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其金属背板便于安装散热器以耗散高达450W（壳温条件下）的功率。关键的极限参数包括连续漏极电流（I_D）在特定壳温下可达65A，栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±25V，以及高达150°C的最大结温（T_J），这些参数共同定义了其稳健的工作边界。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高性能指标，这款MOSFET非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂，以及不间断电源（UPS）和焊接设备等功率转换系统。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一个经过市场验证的高性能选择。

• 型号:STW62NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 65A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:174 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW62NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW62NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件采用TO-247封装，核心参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和65A的连续漏极电流（I_D），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至49毫欧，有效降低了通态损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g）特性有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升整体电源系统的效率与功率密度。