STW6N120K3

STW6N120K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和外延层控制，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计目标是在高达1200V的漏源电压（Vdss）下提供稳定可靠的开关性能，同时将传导损耗控制在较低水平，这使其非常适合应用于对效率和电压应力有严苛要求的离线功率变换场合。

该MOSFET的显著特性体现在其静态与动态参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为6A，最大功率耗散能力达到150W，提供了充裕的功率处理余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下典型值仅为2.4欧姆，这一较低的Rds(on)值直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体效率。此外，栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC（@10V），结合1050pF的输入电容（Ciss），意味着该器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路设计并降低开关损耗。

在电气接口与可靠性方面，STW6N120K3的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了在通常的噪声环境下具有稳定的关断特性。器件采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境温度变化。对于需要可靠货源和专业技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链稳定和获取原厂技术资料的重要途径。

凭借1200V的高耐压和平衡的性能参数，这款器件主要面向工业级和消费类电子中的高压开关应用。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、UPS（不间断电源）系统中的逆变和转换电路、工业电机驱动的辅助电源以及照明领域的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效处理高压总线，实现高效的电能转换与控制。

• 型号:STW6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW6N120K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为1200V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术亮点在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至2.4欧姆，有助于降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大34nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统效率并简化驱动设计。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，最大功率耗散为150W，具备强大的鲁棒性和散热能力。