STW6N90K5

STW6N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于第二代超级结（Super Junction）技术的演进，通过精密的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了在高电压工作条件下的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备900V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和浪涌冲击。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、3A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.1欧姆，这一特性直接转化为更低的通态损耗和更高的系统能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声免疫性和驱动的简易性，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的安全设计余量。

封装采用工业标准的TO-247通孔封装，这种封装形式拥有优异的热性能和机械强度，其结壳热阻低，有助于将芯片产生的热量高效地传导至散热器。在25°C壳温（Tc）下，器件可承受6A的连续漏极电流和高达110W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性与长寿命。对于需要稳定供货和技术支持的设计项目，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通损耗和稳健的封装，STW6N90K5非常适用于需要处理高电压、追求高效率的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、UPS（不间断电源）以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用中，它能够有效提升系统功率密度，降低温升，是实现紧凑、高效、可靠功率系统设计的优选功率开关器件。

• 型号:STW6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为900V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Tc），专为高电压、高可靠性应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与高开关性能的优化结合，在10V Vgs、3A Id条件下，Rds(on)最大值仅为1.1欧姆，有助于显著降低传导损耗。同时，高达110W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行和长寿命。