STW75N20

STW75N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在优化单元密度与导通电阻之间的平衡，其核心架构通过精细的元胞设计有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制特性。作为一款高压器件，其设计重点在于提供高电流处理能力和优异的开关性能，以满足严苛的功率转换应用需求。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其200V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在离线式开关电源、电机驱动等常见母线电压下的可靠工作裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达75A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、37A测试电流下典型值仅为34毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为84nC，结合3260pF的输入电容（Ciss），意味着在合理的驱动电路设计下，可以实现快速的开关转换，减少开关过程中的损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（Tj）范围为-50°C至150°C，在配备适当散热器的情况下，允许的功率耗散最大值可达190W（壳温条件）。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，为驱动电路设计提供了灵活性，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。用户可以通过官方ST代理获取详细的技术资料、样品以及应用支持。

凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特性组合，STW75N20非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）的功率转换模块、电机驱动控制器（如伺服驱动、变频器）中的逆变桥臂，以及电焊机、光伏逆变器等专业电力电子设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STW75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW75N20是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高达200V的电压和75A的连续电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值34mΩ @ 10V, 37A），这能显著降低功率损耗，提升系统能效。

此外，其优化的栅极电荷（最大84nC @ 10V）有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。结合190W的最大功率耗散能力和宽泛的工作结温范围（-50°C至150°C），使其能够在高功率密度和热管理要求严格的环境中稳定运行。