STW75N60M6

意法半导体推出的STW75N60M6是一款采用先进MDmesh M6技术的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现高压开关应用中的卓越效率与可靠性。该器件基于优化的垂直结构设计，通过精心布局的单元密度和先进的沟槽栅极技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构上的平衡，使得器件在高压大电流工作条件下，能够有效管理功率损耗和热生成，为系统整体能效提升奠定了坚实基础。

在功能特性方面，STW75N60M6展现出多项关键优势。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业电机驱动、开关电源（SMPS）及光伏逆变器等应用中的高压母线。更值得关注的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这意味着在导通状态下的传导损耗被大幅削减。同时，该器件拥有优化的栅极电荷（Qg）与电容特性，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关损耗，从而实现更高频率的开关操作，并简化栅极驱动电路的设计。

该MOSFET的接口与电气参数为其高性能提供了量化支撑。它采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。在壳温（Tc）25°C条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达72A，最大功耗可达446W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了抗干扰能力和可靠的导通控制。对于需要稳定供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

基于其高电压、低损耗和强鲁棒性的特点，STW75N60M6非常适合于对效率和可靠性要求严苛的应用场景。它是三相电机驱动、伺服驱动器和变频器领域中逆变桥臂的理想选择，能够有效提升系统能效。在电源领域，它适用于功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器。此外，在可再生能源系统，如太阳能微型逆变器和不同断电源（UPS）中，该器件也能发挥关键作用，助力实现更紧凑、更高效的功率转换解决方案。

• 型号:STW75N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW75N60M6是ST意法半导体MDmesh M6系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与极低的导通电阻（Rds(on)）相结合，在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为36毫欧（@36A），这显著降低了高压开关应用中的传导损耗。

此外，其优化的动态参数，如最大106nC的栅极电荷（Qg @10V），有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗，提升系统整体效率。该器件在壳温25°C下可支持高达72A的连续漏极电流，最大功耗为446W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性与强健性。