STW78N65M5

STW78N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247通孔封装。该器件专为满足汽车电子等高可靠性应用场景的严苛要求而设计，并符合AEC-Q101标准，确保了其在宽温度范围和恶劣环境下的稳定性和耐久性。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）之间的卓越平衡，这是提升开关电源效率、降低开关损耗的关键。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等拓扑结构提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达69A，配合仅32毫欧（在34.5A，10V条件下）的最大导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在203nC（@10V），有助于简化驱动电路设计并减少开关过程中的驱动损耗。

在接口与参数方面，器件采用经典的TO-247封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力（Tc）为450W。高结温（Tj）工作能力达到150°C，适应高温环境应用。其输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善EMI性能并实现更快的开关速度。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

得益于其高耐压、大电流、低损耗以及汽车级可靠性，STW78N65M5非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源、工业电机驱动与变频器、电动汽车的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器，以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源系统。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现高效、紧凑、高可靠性电源解决方案的理想功率开关选择。

• 型号:STW78N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:203 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW78N65M5是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MDmesh V技术，在TO-247封装内实现了650V漏源电压（Vdss）与69A连续漏极电流（Id）的高功率处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值32mΩ）与优化的栅极电荷（Qg）。

这些特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了出色平衡，显著提升了电源系统的整体效率。其设计旨在满足汽车电子及工业应用中对高温操作（Tj=150°C）、高可靠性和高效率的严格要求，适用于开关电源、电机驱动及新能源转换等关键功率开关场景。