STW7N90K5

STW7N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的MDmesh K5系列高压功率MOSFET中的一员。该器件采用先进的超结（Super-Junction）技术，其核心架构通过优化单元密度和电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。这种设计使得芯片在相同的封装和硅片面积下，能够实现更低的传导损耗和更高的功率密度，为高效率功率转换奠定了物理基础。

得益于MDmesh K5技术平台，该MOSFET具备卓越的开关性能与坚固性。其900V的高漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业应用中的电压尖峰和浪涌，提供宽裕的安全裕量。同时，优化的内部结构有效降低了栅极电荷（Q_g）和输出电容（C_oss），这直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，特别是在硬开关和软开关拓扑中表现优异。器件在10V栅极驱动电压下即可实现最低的导通电阻，简化了栅极驱动电路的设计。

该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（T_J）可达150°C。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为7A，最大功耗为110W。其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性，而±30V的最大栅源电压（V_GS）则提供了坚固的栅极保护。用户可以通过官方ST代理获取完整的数据手册、仿真模型以及技术支持。

基于其高电压、低损耗和高可靠性的特点，STW7N90K5非常适用于要求严苛的离线式开关电源（SMPS）领域，例如服务器电源、通信电源和工业电源的功率因数校正（PFC）电路及LLC谐振变换器的主开关管。此外，它也适用于电机驱动、UPS（不间断电源）、电焊机和照明镇流器等应用场景，是工程师构建高效、紧凑且可靠的功率系统的优选功率开关器件。

• 型号:STW7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW7N90K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值与优化的动态性能，旨在满足高效率、高可靠性功率转换的需求。

其技术优势体现在较低的导通电阻与开关损耗的平衡上，在10V栅极驱动下即可实现优异的导通特性。封装采用TO-247-3，提供7A的连续漏极电流（T_C=25°C）和110W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

这款MOSFET主要面向工业级开关电源、功率因数校正（PFC）以及电机驱动等高压应用，为设计人员提供了一个在性能与鲁棒性之间取得卓越平衡的解决方案。