STW80NE06-10

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STW80NE06-10是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在硅片上实现了低比导通电阻与高电流处理能力的平衡。该器件采用经典的TO-247-3通孔封装，这种封装形式提供了出色的机械强度和热传导能力，便于安装在散热器上，是实现高效功率转换和管理的物理基础。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能与开关特性。在10V的栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，在40A的漏极电流条件下，最大值仅为10毫欧，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗被控制在很低的水平。低导通电阻直接带来了更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为189nC，结合适中的输入电容，有助于实现较快的开关速度，减少开关过程中的损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STW80NE06-10具备60V的漏源击穿电压（Vdss），能够可靠地工作在48V或更低电压的系统中。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达80A，峰值电流处理能力更强，展现了其强大的功率吞吐能力。器件的最大功率耗散为250W（Tc），结合高达175°C的结温（TJ）额定值，赋予了其在严苛热环境下的工作鲁棒性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取相关的产品历史资料和替代方案咨询。

凭借其高电流、低损耗和稳健的封装特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有较高要求的工业级电源与电机控制领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂。其设计旨在满足高可靠性电力电子系统的需求，是构建高效能功率转换链路的理想选择之一。

• 型号:STW80NE06-10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW80NE06-10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和低至10毫欧（@10V，40A）的导通电阻，这确保了在高电流应用中的低导通损耗和高效率。

该器件具备60V的漏源电压额定值，适用于48V及以下的电源系统。其栅极电荷（Qg）为189nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。结合250W的最大功率耗散能力和175°C的最高工作结温，该MOSFET为高功率密度和高可靠性的电源转换与电机驱动应用提供了坚实的硬件基础。