STW90NF20

STW90NF20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。TO-247-3封装提供了优异的机械强度和热性能，有助于将芯片产生的热量高效地传导至散热器，确保器件在高温环境下稳定工作。

该MOSFET的电气性能表现突出，其漏源击穿电压（V_DSS）高达200V，能够承受较高的开关电压应力，适用于多种拓扑结构。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达83A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、45A漏极电流条件下典型值仅为23毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在164nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担，优化高频应用下的开关性能。

在接口与参数方面，该器件栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。最大功率耗散能力为300W（Tc），结合-50°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够应对严苛的热环境。这些参数共同定义了其在电路中的可靠工作边界。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取产品详情、库存信息以及应用设计协助。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STW90NF20非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和直流-直流转换级、大功率电机驱动与控制系统、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能功率转换设备。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定维护项目中仍具参考价值。

• 型号:STW90NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 83A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5736 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW90NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和高达83A（Tc）的连续漏极电流，提供了坚实的电压与电流处理能力基础。

其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值低至23毫欧（@45A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在164nC，有助于实现高效的开关操作，减少开关损耗，从而提升整体系统的能效。这些特性使其成为对效率和可靠性有严苛要求的工业电源与电机驱动应用的理想选择之一。