STW9NK90Z

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW9NK90Z是一款采用SuperMESH技术的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的垂直架构设计，通过优化单元密度和沟道结构，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心在于实现了900V的漏源击穿电压（Vdss）与1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡，这使其在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

得益于SuperMESH技术平台，STW9NK90Z展现出优异的开关性能与坚固性。其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简单、成本更低的栅极驱动电路。器件具备±30V的宽栅源电压（Vgs）容限，增强了抗栅极噪声干扰的能力。在热管理方面，其采用标准的TO-247-3通孔封装，提供了良好的散热路径，结合高达160W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在-55°C至150°C的结温（TJ）范围内稳定工作，满足严苛环境下的可靠性要求。

在电气参数上，该MOSFET在10V驱动电压下，导通电阻最大值为1.3欧姆（测试条件为3.6A，10V），阈值电压Vgs(th)最大为4.5V。其输入电容（Ciss）为2115pF，这些参数共同定义了其快速开关与易驱动的特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取正品器件与技术资料。其8A的连续漏极电流（Id）额定值使其能够胜任中等功率等级的能量转换任务。

凭借高耐压、低损耗和强固的封装，STW9NK90Z非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的高压侧开关、以及UPS（不间断电源）和电焊机等需要高效高压开关的功率电子系统。它是工程师在设计和升级高压、高效率功率转换方案时的一个可靠选择。

• 型号:STW9NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW9NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了900V的高漏源电压（Vdss）与1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)），有效降低了高压应用中的传导损耗。

该器件在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功率耗散达160W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了高功率密度下的可靠运行。其栅极驱动电压为10V，栅极电荷（Qg）低至72nC，有助于实现高效率的快速开关，适用于要求严苛的功率转换场景。