STWA12N120K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STWA12N120K5是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的垂直结构，旨在显著降低单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持出色的开关性能和高可靠性。这种设计使得器件在高压应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件具备一系列突出的功能特性。其1200V的漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级高压环境，而12A的连续漏极电流（I_D）能力则确保了强大的功率处理水平。得益于MDmesh K5技术，它在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。此外，其优化的栅极电荷（Q_g）和电容特性有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，从而提升系统整体频率和功率密度。

在电气参数与物理接口方面，STWA12N120K5提供了稳健的操作窗口。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±30V，增强了抗干扰能力。采用经典的TO-247长引线封装，不仅提供了优异的导热路径，支持高达250W（Tc）的功率耗散，也便于通过通孔方式安装在散热器上，确保在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是保障正品与供货的推荐途径。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于对效率和鲁棒性有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等功率转换设备。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并增强系统在恶劣电气环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STWA12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA12N120K5是ST意法半导体推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了1200V的高压阻断能力与优异的低导通电阻特性，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。

该器件在25°C壳温下可提供12A的连续漏极电流，最大导通电阻为690mΩ（@6A, 10V），有助于显著降低传导损耗。同时，其优化的栅极电荷（44.2nC @10V）和输入电容特性，确保了快速的开关性能，有利于提升系统工作频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与250W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工业环境要求。