STWA20N95DK5

STWA20N95DK5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DK5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于第二代超级结（Super-Junction）技术的深度应用，通过精密的电荷平衡工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而提升了整体能效。这种架构特别适用于高频开关应用，因为它有效控制了寄生电容，改善了开关性能。

该MOSFET的突出特性在于其950V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至330毫欧的导通电阻（Rds(on)）的组合。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达18A，最大功率耗散为250W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了可靠的开启控制。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为50.7nC，结合1600pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于提升开关电源的频率和效率至关重要。器件采用坚固的TO-247长引线封装，提供良好的通孔安装机械强度和散热路径，工作结温（Tj）范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要高质量原装器件的客户，可以通过授权的ST代理商进行采购，以确保产品性能和供货链的可靠性。

在电气参数方面，STWA20N95DK5在9A电流、10V栅极电压下的导通电阻典型值表现出色。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了充足的驱动安全裕量。这些参数共同定义了一款适用于高效率、高密度电源设计的功率开关器件。其低Qg和优化的电容特性有助于减小开关噪声和电磁干扰（EMI），简化电路设计中的缓冲和滤波要求。

凭借高耐压、低导通损耗和快速开关的优良特性，STWA20N95DK5非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器初级侧的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电源、通信基础设施电源以及大功率LED照明驱动。此外，在电机驱动、逆变器（如太阳能逆变器或不间断电源UPS）等需要高效能开关的领域，该器件也能发挥关键作用，帮助系统实现更高的功率密度和更优的能效表现。

• 型号:STWA20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA20N95DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DK5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括950V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），专为高耐压、大电流应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优化结合。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为330毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值50.7nC）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关性能，能有效提升电源系统的频率和整体效率。这些特性使其成为构建高效率、高可靠性功率转换系统的关键组件。