STWA40N90K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的高性能功率器件，STWA40N90K5是一款N沟道超结MOSFET，专为在高电压、高功率应用中实现卓越的能效和可靠性而设计。其核心架构基于先进的MDmesh K5技术，该技术通过优化的垂直结构和电荷平衡原理，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色折衷。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，使得器件在高频开关电源拓扑中能够维持高效率运行，同时其900V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌和瞬态过压情况下的鲁棒性。

该器件的功能特点突出体现在其优异的静态与动态参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达40A，最大功耗可达446W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻在20A电流、10V驱动电压下典型值仅为99毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在89nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受能力，意味着它能够被快速驱动且对栅极驱动电路的要求更为友好，有助于简化设计并提升开关速度。输入电容（Ciss）等参数也经过优化，共同确保了干净、快速的开关瞬态。

在接口与参数方面，STWA40N90K5采用经典的TO-247长引线通孔封装，这种封装形式机械强度高，与散热片的安装接触良好，非常有利于功率耗散。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在严苛环境下的稳定操作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品以及相关的设计资源。这些电气与物理参数的结合，使其成为一个在性能、可靠性和易用性之间取得平衡的解决方案。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，STWA40N90K5非常适合于要求严苛的工业与能源领域应用。典型的应用场景包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机以及大功率开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减小散热器尺寸，从而帮助设计者实现更高功率密度和更紧凑的系统设计。

• 型号:STWA40N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA40N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为900V漏源电压（Vdss）和40A连续漏极电流（Id），具备处理高功率应用的坚实基础。

其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至99毫欧（@20A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为89nC。这种特性组合有助于降低系统整体的传导与开关损耗，提升能效。此外，其高达446W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在 demanding 环境下的可靠运行。