STWA40N95K5

STWA40N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性和坚固性，为高效率、高功率密度应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达950V，确保了在严苛的离线电源或电机驱动环境中的高可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）和19A漏极电流（Id）条件下，其最大导通电阻仅为130毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在93nC（@10V），结合优化的内部电容特性，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并简化栅极驱动设计。

在接口与参数层面，STWA40N95K5采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达38A，最大功率耗散为450W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽泛的安全工作区和强大的过载能力。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，提供了足够的驱动裕量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的开关性能，STWA40N95K5非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、大功率服务器/通信电源、不间断电源（UPS）系统以及高性能电机驱动和逆变器平台。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强整体方案的功率密度与可靠性。

• 型号:STWA40N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA40N95K5是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh K5技术的高压N沟道MOSFET。该器件提供950V的漏源电压（Vdss）额定值，并在10V栅极驱动下实现了低至130毫欧（@19A）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。

其封装于TO-247-3中，在壳温25°C下可支持38A的连续漏极电流和高达450W的功率耗散。优化的栅极电荷（93nC @10V）与电容特性确保了快速的开关性能。这些特性使其成为高效、高可靠性开关电源、PFC电路及电机驱动应用的理想选择。