STWA48N60M6

作为ST意法半导体MDmesh M6系列中的一员，STWA48N60M6是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的垂直结构，旨在实现极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。该技术通过降低栅极电荷和输出电容，显著减少了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，同时保持了高耐压能力。

该器件在功能上展现出多项关键优势。其600V的漏源击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行，而39A的连续漏极电流（在壳温25°C条件下）则提供了强大的电流处理能力。更值得关注的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为69毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在57nC，结合优化的输入电容特性，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与参数方面，该MOSFET采用标准的TO-247长引线通孔封装，便于安装和散热管理。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备良好的噪声抑制能力。器件支持高达250W的功率耗散（壳温条件），并且工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了其在严苛工业环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STWA48N60M6非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电机驱动、开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关拓扑、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等能源转换系统。在这些领域中，其低导通电阻和快速开关特性对于提升整体能效、减小系统体积和降低热管理复杂度具有重要价值。

• 制造商产品型号：STWA48N60M6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 39A TO247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2578pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-247 长引线
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STWA48N60M6是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和39A的连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、19.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为69毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值57nC）和电容特性确保了快速的开关性能，有助于降低开关损耗并提升工作频率。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和250W的功率耗散能力，使其能够胜任工业电源、电机驱动和新能源逆变器等要求严苛的应用场景。