STWA50N65DM2AG

作为ST意法半导体旗下MDmesh DM2系列中符合AEC-Q101标准的车规级产品，STWA50N65DM2AG是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现高电压与低导通损耗之间的最佳平衡，通过优化的单元结构和先进的制造工艺，在650V的漏源电压（Vdss）额定值下，提供了卓越的开关性能和可靠性。该器件专为应对严苛的汽车电子环境而设计，确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压、19A漏极电流条件下，最大值仅为87毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在69nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速开关并降低开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其高达300W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在高功率密度设计中能够有效管理热负荷。

在电气参数方面，STWA50N65DM2AG在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为38A，栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±25V，提供了稳健的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在100V Vds下最大值为3200pF，这些参数共同定义了器件的开关行为与驱动需求。该器件采用坚固的TO-247通孔封装，便于安装散热器，非常适合高功率应用。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，此MOSFET非常适合应用于要求严苛的汽车和工业领域。其主要应用场景包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动逆变器，以及工业电源、不间断电源（UPS）和光伏逆变器中的功率开关单元。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，并满足汽车级可靠性标准。

• 型号:STWA50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:69 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STWA50N65DM2AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STWA50N65DM2AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的MDmesh DM2系列。该器件采用TO-247封装，额定漏源电压高达650V，在25°C壳温下可连续承载38A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（87mΩ @10V, 19A）与优化的栅极电荷（69nC @10V），旨在实现高效率与快速开关性能的平衡。

其最大功率耗散能力为300W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为汽车电子（如OBC、DC-DC转换器）和工业高功率开关电源（如UPS、太阳能逆变器）等应用中，提升系统功率密度和能效的理想选择。