STWA75N60M6

STWA75N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压、低导通损耗与快速开关特性的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时有效控制了寄生电容，为高效功率转换奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作裕量，适用于市电整流后高压母线环境。在25°C壳温（Tc）下，连续漏极电流（Id）高达72A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、36A漏极电流条件下，其导通电阻典型值仅为36毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值控制在4.75V，并与106nC（@10V）的较低栅极总电荷（Qg）相结合，确保了驱动简便且开关速度快，有助于降低开关损耗。

在接口与参数方面，该器件采用工业标准的TO-247长引线封装，便于通孔安装和散热管理。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了稳健的驱动保护。输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为4850pF，与Qg参数共同决定了器件的开关动态性能。其最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，在壳温条件下最大功率耗散可达446W，体现了良好的热性能。对于需要可靠供应链保障的设计项目，可以通过ST授权代理获取正品器件与技术支持。

凭借其高性能组合，STWA75N60M6非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和DC-DC主开关拓扑的理想选择，也广泛应用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊机等设备的功率级设计中。其优异的性能有助于提升终端产品的能效等级，并增强系统在高温、高功率运行下的可靠性。

• 型号:STWA75N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:36 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA75N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与高达72A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。

其关键电气参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至36毫欧（@36A），能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，106nC的栅极电荷（Qg）与4.75V的栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速、高效的开关性能，有利于优化开关损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关单元的可靠选择。