STY140NS10

STY140NS10是ST意法半导体基于其先进的MESH OVERLAY技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用MAX247通孔封装，其核心架构通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。这种设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，为高电流、高频率的开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电流处理能力和极低的导通阻抗。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流额定值高达140A，而在10V驱动电压、70A电流条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为11毫欧。这一特性直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为600nC，结合高达±20V的栅源电压耐受能力，意味着器件具备良好的开关速度和驱动鲁棒性，有助于简化栅极驱动电路设计并提升系统可靠性。

在电气参数方面，STY140NS10的漏源击穿电压（Vdss）为100V，适用于常见的48V或更低电压总线系统。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了足够的噪声抑制裕量。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），最大功率耗散能力为450W（Tc），展现了强大的热性能。对于需要本地技术支持和稳定供货链的客户，可以咨询ST中国代理以获取相关产品信息与供应链服务。

凭借其高电流、低损耗的特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或同步整流、大电流DC-DC转换器、电机驱动与控制器（如伺服驱动、变频器）、以及不间断电源（UPS）和电焊机中的功率开关模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的性能指标，对于理解同类高功率密度MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:STY140NS10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 140A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:600 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STY140NS10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STY140NS10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于MESH OVERLAY产品系列，采用MAX247通孔封装。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达140A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键性能优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为11毫欧（@70A）。同时，栅极电荷（Qg）最大值为600nC（@10V），有助于实现高效的开关操作。器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为450W（Tc），适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。